yl8cc永利官网MOS FET/IGBT 动态参数测试系统入选2025年无锡市场景清单

　　近日，无锡市场景创新大会隆重举行。会上，无锡市发展和改革委员会围绕科技创新、产业发展等五大重点场景应用方向发布了《2025 年无锡市场景清单(第一批)》。yl8cc永利官网MOS FET/IGBT 动态参数测试系统解决方案成功入选其中，这无疑是对yl8cc永利官网技术实力与行业贡献的高度认可。

无锡市场景创新大会
 

　　在功率半导体领域，准确测量MOS FET/IGBT 的动态参数对器件开关性能起决定性作用。yl8cc永利官网MOS FET/IGBT 动态参数测试系统解决方案致力于对器件在不同环境下特性的测试，可以通过修改驱动模块和夹具模块的搭建，解决在整机系统进行动态参数测试时无法对多样功率器件模块测试问题，使测试平台可以兼容更多封装类型的模块功率器件测试。这种方法可以根据样品封装进行调整，适用性更广，且分模块搭建可以降低搭建成本，也更方便调整由于接线问题导致的测试波形不稳定。这一系统的创新性和实用性，使其成为众多企业在相关测试环节，也正是入选清单的关键技术因素。
 

　　yl8cc永利官网功率半导体及第三代半导体测试分析服务
 

　　面对第三代半导体产业复杂工艺与高精尖检测需求，公司不断加大研发投入，引进国际前沿检测设备，具备功率半导体器件的全参数测试能力。
 

　　●针对以SiC为代表的功率器件高压、高温、大功率等特点，yl8cc永利官网采用全新的硬件设计方案及制板工艺，成功实现高达1000V以上的HV-H3TRB和HV-HAST和高达225℃的HTRG和HTGB试验能力，充分验证第三代半导体功率器件的极限工作稳定性。
 

　　●针对SiC、GaN高速工作的应用场景，现行的基于Si器件的测试技术及设备已难以有效模拟出器件偏置下的应力状态的工作寿命。yl8cc永利官网积极开发DRB、DGS、AC-HTC、DHTOL等各项动态可靠性验证技术，充分验证第三代半导体功率器件的实际工作稳定性。
 

　　●为国内三分之二的功率器件企业提供参数测试、可靠性试验及失效分析。
 

　　●第三代半导体检测领域合作客户超过80家，样品数量三十余万件。